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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
10.4
16.9
写入速度,GB/s
7.8
13.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3134
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
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