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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
10.4
19.3
写入速度,GB/s
7.8
16.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
3723
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FK 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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