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Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
比较
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
总分
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
52
55
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
55
52
读取速度,GB/s
9.4
10.3
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2424
2390
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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