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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
41
读取速度,GB/s
8.0
12.8
写入速度,GB/s
7.3
9.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2238
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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