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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
54
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
35
读取速度,GB/s
9.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2699
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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