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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
54
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
38
读取速度,GB/s
9.2
14.5
写入速度,GB/s
8.1
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2659
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
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