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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 -152% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
25
读取速度,GB/s
8.1
16.0
写入速度,GB/s
7.5
11.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2544
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
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