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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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规格
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
11.8
15.8
写入速度,GB/s
7.3
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2373
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6DFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
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