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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
11.8
16.2
写入速度,GB/s
7.3
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2442
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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