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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
10.6
15.3
写入速度,GB/s
9.0
10.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2749
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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