RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
104
左右 -352% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
23
读取速度,GB/s
3,192.0
16.3
写入速度,GB/s
2,404.5
12.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2931
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link