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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 19.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,404.5 left arrow 15.3
    测试中的平均数值
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 104
    左右 -300% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    104 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    3,192.0 left arrow 19.4
  • 写入速度，GB/s
    2,404.5 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 3648

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较

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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston 9905701-017.A00G 16GB
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内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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