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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
104
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
37
读取速度,GB/s
3,192.0
15.6
写入速度,GB/s
2,404.5
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2314
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
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