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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
比较
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
总分
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
总分
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,072.7
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
75
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.6
2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
34
读取速度,GB/s
2,730.3
22.6
写入速度,GB/s
2,072.7
16.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
3597
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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