Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Inmos + 256MB

总分
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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 65
    左右 -117% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.1 left arrow 1,574.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    16800 left arrow 5300
    左右 3.17 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    65 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    3,858.9 left arrow 11.5
  • 写入速度,GB/s
    1,574.4 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    607 left arrow 2318
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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