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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
74
左右 -147% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
30
读取速度,GB/s
4,178.4
16.8
写入速度,GB/s
2,201.1
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3337
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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