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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
74
左右 -80% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
41
读取速度,GB/s
4,178.4
16.2
写入速度,GB/s
2,201.1
11.7
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2847
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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