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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
73
左右 -55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
47
读取速度,GB/s
3,510.5
11.2
写入速度,GB/s
1,423.3
8.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2362
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-110.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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