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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
68
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
31
读取速度,GB/s
3,886.6
19.2
写入速度,GB/s
1,702.6
13.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
3341
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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