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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
29
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
29
读取速度,GB/s
14.9
16.8
写入速度,GB/s
10.6
12.4
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3143
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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