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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
32
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
32
读取速度,GB/s
14.9
16.5
写入速度,GB/s
10.6
10.8
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2739
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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