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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
26
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
14.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
26
读取速度,GB/s
14.9
14.1
写入速度,GB/s
10.6
10.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2679
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
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