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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
24
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
20
读取速度,GB/s
14.9
18.9
写入速度,GB/s
10.6
15.0
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3230
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
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