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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
11.9
17.4
写入速度,GB/s
8.1
16.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3908
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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