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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
11.9
17.2
写入速度,GB/s
8.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3001
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
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