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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
差异
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
11.8
15.1
写入速度,GB/s
8.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2579
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
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