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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
47
左右 -18% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
40
读取速度,GB/s
11.8
9.1
写入速度,GB/s
8.0
6.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1764
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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