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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.0
15.6
写入速度,GB/s
7.8
11.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2941
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
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