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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.0
16.5
写入速度,GB/s
7.8
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2967
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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