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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.3
21.7
写入速度,GB/s
8.0
17.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3793
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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