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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
12.3
20.2
写入速度,GB/s
8.0
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
4106
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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