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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
45
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
35
读取速度,GB/s
12.3
15.6
写入速度,GB/s
8.0
12.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2976
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
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