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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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规格
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
8.0
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3634
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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