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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
12.3
17.0
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3296
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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