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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.3
18.3
写入速度,GB/s
9.0
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3303
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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