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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
19.3
写入速度,GB/s
8.9
15.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3557
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
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