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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Super Talent F3200UA8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
58
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Super Talent F3200UA8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
58
读取速度,GB/s
12.3
18.9
写入速度,GB/s
8.9
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2250
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2666C12 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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