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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

总分
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

总分
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB 需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 30
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.4 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.8 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 8500
    左右 2.51 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1479 left arrow 3065

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
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AMD R538G1601U2S 8GB
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Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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