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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.8
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
31
读取速度,GB/s
10.6
20.8
写入速度,GB/s
6.8
16.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3878
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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