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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
7.2
18.9
写入速度,GB/s
3.0
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3663
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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