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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
71
左右 46% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
71
读取速度,GB/s
7.2
15.4
写入速度,GB/s
3.0
8.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
1586
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
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