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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
INTENSO 4GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs INTENSO 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
14.2
12.1
写入速度,GB/s
13.6
9.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2061
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
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G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
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