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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
13.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
14.2
17.5
写入速度,GB/s
13.6
14.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3575
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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