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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
2,936.9
10.4
写入速度,GB/s
1,884.0
12.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2587
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
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