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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
2,936.9
17.3
写入速度,GB/s
1,884.0
13.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3359
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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