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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
77
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
28
读取速度,GB/s
2,936.9
18.2
写入速度,GB/s
1,884.0
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3389
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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