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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Kingston KY7N41-MIE 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Kingston KY7N41-MIE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KY7N41-MIE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
2,936.9
16.2
写入速度,GB/s
1,884.0
12.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2948
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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