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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

总分
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

总分
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    35 left arrow 77
    左右 -120% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.9 left arrow 1,884.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    77 left arrow 35
  • 读取速度，GB/s
    2,936.9 left arrow 13.8
  • 写入速度，GB/s
    1,884.0 left arrow 9.9
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    564 left arrow 2369

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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内存RAM
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
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内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
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内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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