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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
37
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
32
读取速度,GB/s
14.7
17.3
写入速度,GB/s
10.6
13.4
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2438
3422
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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RAM 1
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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