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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
12.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
15.8
18.4
写入速度,GB/s
12.4
14.7
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2852
3525
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G2139U2 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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